GCV6NM150BQ 产品图

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GCV6NM150BQ

翠展微 GRECON核心代理商

中低压 MOSFET车规D2PAK

参数规格

封装
D2PAK
结构
N
漏源电压 VDS
150 V
车规 (Y/N)
Y
阈值电压 Vth 最小
2 V
阈值电压 Vth 最大
4 V
导通电阻 RDS(ON)
6.2 mΩ

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GCV11P8NM150BL导通电阻 RDS(ON)11.8 mΩ阈值电压 Vth 最小2 VGCV21NM150BL导通电阻 RDS(ON)21 mΩ阈值电压 Vth 最小2 VGCV4P5NM150BQ导通电阻 RDS(ON)4.5 mΩ阈值电压 Vth 最小1 VGCV50NM150BL导通电阻 RDS(ON)50 mΩ阈值电压 Vth 最小2 VGCV70NM150BL导通电阻 RDS(ON)70 mΩ阈值电压 Vth 最小1 VGCV80NM150BL导通电阻 RDS(ON)80 mΩ阈值电压 Vth 最小2 V