GCV4P2NM100TQ 产品图

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GCV4P2NM100TQ

翠展微 GRECON授权代理

中低压 MOSFET车规TO247

参数规格

封装
TO247
结构
N
漏源电压 VDS
100 V
车规 (Y/N)
Y
阈值电压 Vth 最小
2 V
阈值电压 Vth 最大
4 V
导通电阻 RDS(ON)
4.2 mΩ

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GCV10P5NM100TL导通电阻 RDS(ON)10.5 mΩ阈值电压 Vth 最小1 VGCV15NM100TL导通电阻 RDS(ON)15 mΩ阈值电压 Vth 最小1 VGCV3NM100TL导通电阻 RDS(ON)3 mΩ阈值电压 Vth 最小2 VGCV4P7NM100TL导通电阻 RDS(ON)4.7 mΩ阈值电压 Vth 最小2 VGCV5P2NM100TL导通电阻 RDS(ON)5.2 mΩ阈值电压 Vth 最小2 VGCV85NM100TQ导通电阻 RDS(ON)85 mΩ阈值电压 Vth 最小1.2 V