GCV12NM6DL 产品图

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GCV12NM6DL

翠展微 GRECON授权代理

中低压 MOSFET车规DPAK

参数规格

封装
DPAK
结构
N
漏源电压 VDS
60 V
车规 (Y/N)
Y
阈值电压 Vth 最小
1 V
阈值电压 Vth 最大
2.6 V
导通电阻 RDS(ON)
12 mΩ

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GCV10NM6DL导通电阻 RDS(ON)10 mΩ阈值电压 Vth 最大3 VGCV17NM6DL导通电阻 RDS(ON)17 mΩ阈值电压 Vth 最大2 VGCV33NM6DL导通电阻 RDS(ON)33 mΩ阈值电压 Vth 最大2 VGCV3P3NM6DL导通电阻 RDS(ON)3.3 mΩ漏极电流 ID110 AGCV5P5NM6DL导通电阻 RDS(ON)5.5 mΩ漏极电流 ID85 AGCV7P5NM6DQ导通电阻 RDS(ON)7.5 mΩ阈值电压 Vth 最大2.5 V