参数选型

低边驱动

支持参数筛选、排序与 CSV 导出；未收录型号可咨询我们的工程师

低边驱动芯片把控制端的逻辑信号转换为接地侧（低边）功率开关管栅极所需的驱动电流与电平，常用于电机驱动、开关电源以及继电器、电磁阀等负载的通断控制。本站所列型号的 Power Switch 覆盖 IGBT/MOSFET 与 GaN，输入侧兼容宽范围逻辑电平，参数按输入 VCC、Prop.Delay、Tr/Tf 与封装分档。

  • 驱动能力（IOH/IOL）需与被驱开关管的栅极电荷匹配；驱动感性负载时还要评估关断尖峰
  • 输入 VCC 范围决定与控制端逻辑电平（3.3V / 5V / 15V 等）的兼容性
  • Prop.Delay 与 Tr/Tf 影响可用的开关频率上限与死区设计
  • 工作温度上限（125℃ / 140℃）与封装热阻要按实际散热条件核对
22 / 22 条
SINEG27511AC-7G 产品图SINEG27511AC-7G

中晶新源

功率开关
IGBT/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.0/5.0
输入电源 VCC (V)
4.5~20
传播延时 (ns)
18/18
上升/下降时间 Tr/Tf 典型 (ns)
7/5
工作温度 (°C)
-40 ~ 125
SINEG27511HAC-7G 产品图SINEG27511HAC-7G

中晶新源

功率开关
IGBT/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.0/5.0
输入电源 VCC (V)
13.5~20
传播延时 (ns)
18/18
上升/下降时间 Tr/Tf 典型 (ns)
9/6
工作温度 (°C)
-40 ~ 125
SINEG27517AD-7G 产品图SINEG27517AD-7G

中晶新源

功率开关
IGBT/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.0/5.0
输入电源 VCC (V)
4.5~20
传播延时 (ns)
18/18
上升/下降时间 Tr/Tf 典型 (ns)
7/5
工作温度 (°C)
-40 ~ 125
SINEG27517HAD-7G 产品图SINEG27517HAD-7G

中晶新源

功率开关
IGBT/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.0/5.0
输入电源 VCC (V)
13.5~20
传播延时 (ns)
18/18
上升/下降时间 Tr/Tf 典型 (ns)
9/6
工作温度 (°C)
-40 ~ 125
SINEG27519AD-7G 产品图SINEG27519AD-7G

中晶新源

功率开关
IGBT/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.0/5.0
输入电源 VCC (V)
4.5~20
传播延时 (ns)
18/18
上升/下降时间 Tr/Tf 典型 (ns)
7/5
工作温度 (°C)
-40 ~ 125
SINEG27519HAD-7G 产品图SINEG27519HAD-7G

中晶新源

功率开关
IGBT/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.0/5.0
输入电源 VCC (V)
13.5~20
传播延时 (ns)
18/18
上升/下降时间 Tr/Tf 典型 (ns)
9/6
工作温度 (°C)
-40 ~ 125
SINEG27523CA-DG 产品图SINEG27523CA-DG

中晶新源

功率开关
IGBT/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.5/5.5
输入电源 VCC (V)
4.5~20
传播延时 (ns)
18/18
上升/下降时间 Tr/Tf 典型 (ns)
7/6
工作温度 (°C)
-40 ~ 140
SINEG27523GB-DG 产品图SINEG27523GB-DG

中晶新源

功率开关
IGBT/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.5/5.5
输入电源 VCC (V)
4.5~20
传播延时 (ns)
18/18
上升/下降时间 Tr/Tf 典型 (ns)
7/6
工作温度 (°C)
-40 ~ 140
SINEG27523NCA-DG 产品图SINEG27523NCA-DG

中晶新源

功率开关
IGBT/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.5/5.5
输入电源 VCC (V)
4.5~20
传播延时 (ns)
18/18
上升/下降时间 Tr/Tf 典型 (ns)
7/6
工作温度 (°C)
-40 ~ 140
SINEG27524CA-DG 产品图SINEG27524CA-DG

中晶新源

功率开关
IGBT/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.5/5.5
输入电源 VCC (V)
4.5~20
传播延时 (ns)
18/18
上升/下降时间 Tr/Tf 典型 (ns)
7/6
工作温度 (°C)
-40 ~ 140
SINEG27524GB-DG 产品图SINEG27524GB-DG

中晶新源

功率开关
IGBT/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.5/5.5
输入电源 VCC (V)
4.5~20
传播延时 (ns)
18/18
上升/下降时间 Tr/Tf 典型 (ns)
7/6
工作温度 (°C)
-40 ~ 140
SINEG27524NCA-DG 产品图SINEG27524NCA-DG

中晶新源

功率开关
IGBT/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.5/5.5
输入电源 VCC (V)
4.5~20
传播延时 (ns)
18/18
上升/下降时间 Tr/Tf 典型 (ns)
7/6
工作温度 (°C)
-40 ~ 140
SINEG27525CA-DG 产品图SINEG27525CA-DG

中晶新源

功率开关
IGBT/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.5/5.5
输入电源 VCC (V)
4.5~20
传播延时 (ns)
18/18
上升/下降时间 Tr/Tf 典型 (ns)
7/6
工作温度 (°C)
-40 ~ 140
SINEG27525GB-DG 产品图SINEG27525GB-DG

中晶新源

功率开关
IGBT/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.5/5.5
输入电源 VCC (V)
4.5~20
传播延时 (ns)
18/18
上升/下降时间 Tr/Tf 典型 (ns)
7/6
工作温度 (°C)
-40 ~ 140
SINEG27526EN-DG 产品图SINEG27526EN-DG

中晶新源

功率开关
IGBT/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.5/5.5
输入电源 VCC (V)
4.5~20
传播延时 (ns)
18/18
上升/下降时间 Tr/Tf 典型 (ns)
7/6
工作温度 (°C)
-40 ~ 140
SINEG27624HCA-DG 产品图SINEG27624HCA-DG

中晶新源

功率开关
IGBT/MOSFET/GaN
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
5.0/5.0
输入电源 VCC (V)
13.5~30
传播延时 (ns)
20/20
上升/下降时间 Tr/Tf 典型 (ns)
7/6
工作温度 (°C)
-40 ~ 125
SINEG27624HGB-DG 产品图SINEG27624HGB-DG

中晶新源

功率开关
IGBT/MOSFET/GaN
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
5.0/5.0
输入电源 VCC (V)
13.5~30
传播延时 (ns)
20/20
上升/下降时间 Tr/Tf 典型 (ns)
7/6
工作温度 (°C)
-40 ~ 125
SINEG27624LCA-DG 产品图SINEG27624LCA-DG

中晶新源

功率开关
IGBT/MOSFET/GaN
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
5.0/5.0
输入电源 VCC (V)
4.5~30
传播延时 (ns)
20/20
上升/下降时间 Tr/Tf 典型 (ns)
7/6
工作温度 (°C)
-40 ~ 125
SINEG27624LGB-DG 产品图SINEG27624LGB-DG

中晶新源

功率开关
IGBT/MOSFET/GaN
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
5.0/5.0
输入电源 VCC (V)
4.5~30
传播延时 (ns)
20/20
上升/下降时间 Tr/Tf 典型 (ns)
7/6
工作温度 (°C)
-40 ~ 125
SINEG27624LNCA-DG 产品图SINEG27624LNCA-DG

中晶新源

功率开关
IGBT/MOSFET/GaN
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
5.0/5.0
输入电源 VCC (V)
4.5~30
传播延时 (ns)
20/20
上升/下降时间 Tr/Tf 典型 (ns)
7/6
工作温度 (°C)
-40 ~ 125
SINEG27624MCA-DG 产品图SINEG27624MCA-DG

中晶新源

功率开关
IGBT/MOSFET/GaN
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
5.0/5.0
输入电源 VCC (V)
9~30
传播延时 (ns)
20/20
上升/下降时间 Tr/Tf 典型 (ns)
7/6
工作温度 (°C)
-40 ~ 125
SINEG27624MGB-DG 产品图SINEG27624MGB-DG

中晶新源

功率开关
IGBT/MOSFET/GaN
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
5.0/5.0
输入电源 VCC (V)
9~30
传播延时 (ns)
20/20
上升/下降时间 Tr/Tf 典型 (ns)
7/6
工作温度 (°C)
-40 ~ 125
品牌
SINEG27511AC-7G 产品图SINEG27511AC-7G中晶新源IGBT/MOSFET4.0/5.04.5~2018/187/5-40 ~ 125SOT23-6Reel/3000
SINEG27511HAC-7G 产品图SINEG27511HAC-7G中晶新源IGBT/MOSFET4.0/5.013.5~2018/189/6-40 ~ 125SOT23-6Reel/3000
SINEG27517AD-7G 产品图SINEG27517AD-7G中晶新源IGBT/MOSFET4.0/5.04.5~2018/187/5-40 ~ 125SOT23-5Reel/3000
SINEG27517HAD-7G 产品图SINEG27517HAD-7G中晶新源IGBT/MOSFET4.0/5.013.5~2018/189/6-40 ~ 125SOT23-5Reel/3000
SINEG27519AD-7G 产品图SINEG27519AD-7G中晶新源IGBT/MOSFET4.0/5.04.5~2018/187/5-40 ~ 125SOT23-5Reel/3000
SINEG27519HAD-7G 产品图SINEG27519HAD-7G中晶新源IGBT/MOSFET4.0/5.013.5~2018/189/6-40 ~ 125SOT23-5Reel/3000
SINEG27523CA-DG 产品图SINEG27523CA-DG中晶新源IGBT/MOSFET4.5/5.54.5~2018/187/6-40 ~ 140SOP8Reel/2500
SINEG27523GB-DG 产品图SINEG27523GB-DG中晶新源IGBT/MOSFET4.5/5.54.5~2018/187/6-40 ~ 140MSOP8-EPReel/4000
SINEG27523NCA-DG 产品图SINEG27523NCA-DG中晶新源IGBT/MOSFET4.5/5.54.5~2018/187/6-40 ~ 140SOP8Reel/2500
SINEG27524CA-DG 产品图SINEG27524CA-DG中晶新源IGBT/MOSFET4.5/5.54.5~2018/187/6-40 ~ 140SOP8Reel/2500
SINEG27524GB-DG 产品图SINEG27524GB-DG中晶新源IGBT/MOSFET4.5/5.54.5~2018/187/6-40 ~ 140MSOP8-EPReel/4000
SINEG27524NCA-DG 产品图SINEG27524NCA-DG中晶新源IGBT/MOSFET4.5/5.54.5~2018/187/6-40 ~ 140SOP8Reel/2500
SINEG27525CA-DG 产品图SINEG27525CA-DG中晶新源IGBT/MOSFET4.5/5.54.5~2018/187/6-40 ~ 140SOP8Reel/2500
SINEG27525GB-DG 产品图SINEG27525GB-DG中晶新源IGBT/MOSFET4.5/5.54.5~2018/187/6-40 ~ 140MSOP8-EPReel/4000
SINEG27526EN-DG 产品图SINEG27526EN-DG中晶新源IGBT/MOSFET4.5/5.54.5~2018/187/6-40 ~ 140DFN3*3-8Reel/2500
SINEG27624HCA-DG 产品图SINEG27624HCA-DG中晶新源IGBT/MOSFET/GaN5.0/5.013.5~3020/207/6-40 ~ 125SOP8Reel/2500
SINEG27624HGB-DG 产品图SINEG27624HGB-DG中晶新源IGBT/MOSFET/GaN5.0/5.013.5~3020/207/6-40 ~ 125MSOP8-EPReel/4000
SINEG27624LCA-DG 产品图SINEG27624LCA-DG中晶新源IGBT/MOSFET/GaN5.0/5.04.5~3020/207/6-40 ~ 125SOP8Reel/2500
SINEG27624LGB-DG 产品图SINEG27624LGB-DG中晶新源IGBT/MOSFET/GaN5.0/5.04.5~3020/207/6-40 ~ 125MSOP8-EPReel/4000
SINEG27624LNCA-DG 产品图SINEG27624LNCA-DG中晶新源IGBT/MOSFET/GaN5.0/5.04.5~3020/207/6-40 ~ 125SOP8Reel/2500
SINEG27624MCA-DG 产品图SINEG27624MCA-DG中晶新源IGBT/MOSFET/GaN5.0/5.09~3020/207/6-40 ~ 125SOP8Reel/2500
SINEG27624MGB-DG 产品图SINEG27624MGB-DG中晶新源IGBT/MOSFET/GaN5.0/5.09~3020/207/6-40 ~ 125MSOP8-EPReel/4000