参数选型

车规功率模块

支持参数筛选、排序与 CSV 导出;未收录型号可咨询我们的工程师

应用场景

车规功率模块面向新能源汽车电驱、车载充电机(OBC)等场合,在功率密度基础上叠加汽车级可靠性与认证要求。

  • 需满足车规可靠性认证(如功率模块专用标准)与振动/温度循环测试要求
  • 功率循环寿命与结温上限,需按整车工况(频繁启停、宽温域)核算
  • 拓扑与额定电流需匹配具体车型的功率等级(如主驱逆变 vs OBC)
  • 供应链一致性与批次追溯能力,是车规选型的重要考量维度
深入了解:车规功率模块选型指南 →
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翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
150
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.7
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
26.1
结构
Half Bridge
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.136

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
150
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
-
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
-
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
-

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
150
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.8
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
62.5
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.136

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
150
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.46
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
20.86
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.28

翠展微

集射极电压 VCES (V)
650
集电极电流 IC (A)
150
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
-
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
-
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
-

翠展微

集射极电压 VCES (V)
750
集电极电流 IC (A)
160
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
-
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
-
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
-

翠展微

集射极电压 VCES (V)
650
集电极电流 IC (A)
200
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.45
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
8.1
结构
3 Phase Bridge
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.2

翠展微

集射极电压 VCES (V)
650
集电极电流 IC (A)
200
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.45
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
8.1
结构
3 Phase Bridge
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.2

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
200
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
-
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
-
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
-

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
200
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.5
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
24.43
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.24

翠展微

集射极电压 VCES (V)
750
集电极电流 IC (A)
200
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
-
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
-
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
-

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
225
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.7
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
40.7
结构
Half Bridge
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.122

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
300
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.7
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
57.1
结构
Half Bridge
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.0993

翠展微

集射极电压 VCES (V)
650
集电极电流 IC (A)
300
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.45
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
12.7
结构
3 Phase Bridge
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.168

翠展微

集射极电压 VCES (V)
650
集电极电流 IC (A)
300
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.45
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
12.7
结构
3 Phase Bridge
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.168

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
300
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.45
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
36.4
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.13

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
300
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.45
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
38.3
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.1

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
300
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.46
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
31.7
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.068

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
300
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.46
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
46.3
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.102

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
300
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
-
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
-
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
-

翠展微

集射极电压 VCES (V)
750
集电极电流 IC (A)
300
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.5
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
31.7
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.13

翠展微

集射极电压 VCES (V)
750
集电极电流 IC (A)
300
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.51
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
25.7
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.13

翠展微

集射极电压 VCES (V)
750
集电极电流 IC (A)
300
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
-
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
-
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
-

翠展微

集射极电压 VCES (V)
750
集电极电流 IC (A)
340
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.51
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
26.5
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.088

翠展微

集射极电压 VCES (V)
750
集电极电流 IC (A)
350
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
-
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
-
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
-

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
400
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.7
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
46.4
结构
Tri-Pack
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.11

翠展微

集射极电压 VCES (V)
650
集电极电流 IC (A)
400
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.45
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
16.2
结构
3 Phase Bridge
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.122

翠展微

集射极电压 VCES (V)
650
集电极电流 IC (A)
400
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.45
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
16.2
结构
3 Phase Bridge
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.122

翠展微

集射极电压 VCES (V)
750
集电极电流 IC (A)
400
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.45
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
16.4
结构
3 Phase Bridge
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.119

翠展微

集射极电压 VCES (V)
750
集电极电流 IC (A)
400
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.45
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
16.4
结构
3 Phase Bridge
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.119

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
400
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.6
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
46.4
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.115

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
400
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.6
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
50.8
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.102

翠展微

集射极电压 VCES (V)
750
集电极电流 IC (A)
400
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.53
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
36.4
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.1

翠展微

集射极电压 VCES (V)
750
集电极电流 IC (A)
400
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.55
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
26.4
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.1

翠展微

集射极电压 VCES (V)
750
集电极电流 IC (A)
400
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.6
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
56.4
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.19

翠展微

集射极电压 VCES (V)
750
集电极电流 IC (A)
400
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.55
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
31.4
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.1

翠展微

集射极电压 VCES (V)
750
集电极电流 IC (A)
400
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.5
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
46.4
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.1

翠展微

集射极电压 VCES (V)
750
集电极电流 IC (A)
400
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
-
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
-
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
-

翠展微

集射极电压 VCES (V)
750
集电极电流 IC (A)
400
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.63
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
33.3
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.074

翠展微

集射极电压 VCES (V)
750
集电极电流 IC (A)
600
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
-
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
-
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
-

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
450
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.7
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
89.8
结构
Half Bridge
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.069

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
450
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.5
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
39.1
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.063

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
450
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.5
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
53.8
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.096

翠展微

集射极电压 VCES (V)
750
集电极电流 IC (A)
450
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.56
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
35
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.18

翠展微

集射极电压 VCES (V)
750
集电极电流 IC (A)
450
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.53
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
48
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.08

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
500
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.55
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
55.6
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.085

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
50
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
-
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
-
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
-

翠展微

集射极电压 VCES (V)
750
集电极电流 IC (A)
550
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.45
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
20.1
结构
3 Phase Bridge
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.073

翠展微

集射极电压 VCES (V)
750
集电极电流 IC (A)
550
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.45
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
20.1
结构
3 Phase Bridge
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.073

翠展微

集射极电压 VCES (V)
750
集电极电流 IC (A)
550
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.6
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
41.1
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.075

翠展微

集射极电压 VCES (V)
750
集电极电流 IC (A)
550
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
-
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
-
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
-

翠展微

集射极电压 VCES (V)
750
集电极电流 IC (A)
560
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.55
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
55.1
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.075

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
600
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.4
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
60
结构
Tri-Pack
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.16

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
600
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.7
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
96
结构
Half Bridge
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.038

翠展微

集射极电压 VCES (V)
650
集电极电流 IC (A)
600
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.45
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
22.7
结构
Tri-Pack
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.512

翠展微

集射极电压 VCES (V)
650
集电极电流 IC (A)
600
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.1
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
29
结构
Tri-Pack
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.512

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
600
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.6
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
60
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.064

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
600
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
-
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
-
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
-

翠展微

集射极电压 VCES (V)
750
集电极电流 IC (A)
600
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.6
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
41.7
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.068

翠展微

集射极电压 VCES (V)
750
集电极电流 IC (A)
600
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.65
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
52.7
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.157
品牌产品等级
GCV150GT120HBB3 产品图GCV150GT120HBB3翠展微车规12001501.726.1Half Bridge0.136B3.0
GCV150GX120FTH9T 产品图GCV150GX120FTH9T翠展微-1200150----miniHP1
GCV150GX120HBB3 产品图GCV150GX120HBB3翠展微-12001501.862.5-0.136B3.0
GCV150GX120SGT4 产品图GCV150GX120SGT4翠展微-12001501.4620.86-0.28T4.0
GCV150GX65SGT3 产品图GCV150GX65SGT3翠展微-650150----TO-247PLUS
GCV160GX75SGT3 产品图GCV160GX75SGT3翠展微-750160----TO-247PLUS
GCV200GT65FFH1 产品图GCV200GT65FFH1翠展微车规6502001.458.13 Phase Bridge0.2H1.0
GCV200GT65FFH1H 产品图GCV200GT65FFH1H翠展微车规6502001.458.13 Phase Bridge0.2H1.0
GCV200GX120FTH9T 产品图GCV200GX120FTH9T翠展微-1200200----miniHP1
GCV200GX120SGT4 产品图GCV200GX120SGT4翠展微-12002001.524.43-0.24T4.0
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