红外传感器通过探测红外辐射实现非接触式感应，库内产品涵盖两条技术路线：一类是热释电（PIR）人体存在感应芯片——如 M8601、M9601 等型号可数字编程，同一颗芯片能在 Motion 模式（输出 I/O 判断结果）与数字模式（输出原始信号及温度值）间切换；另一类是热电堆（Thermopile）非接触测温芯片，无论阵列式或单点裸晶圆式，均固定输出原始信号供主控处理。两者原理不同，选型前需先分清应用类别。
关键参数怎么读
- VDD（工作电压）：库内单点 PIR 型号覆盖 1.4V 至 3.6V，阵列式热电堆芯片（如 1×8、1×32 阵列信号调理芯片）覆盖 2.7V 至 3.6V。宽电压设计便于电池供电或接入系统电源，需核对最低电压能否覆盖电池放电末端。
- IDD（工作电流）：PIR 型号工作电流可低至 3.0µA 至 4.5µA，适合电池长期供电场景；阵列式热电堆芯片需驱动读出电路，电流约在 5mA 量级，与单点 PIR 明显不同。
- Output（输出模式）：PIR 芯片多为数字可编程设计，如 M8601、M9601 的 key_params 所示，同一颗芯片可在 Motion 模式（I/O 判断结果）与数字模式（原始信号及温度值，单总线/I2C 读出）间切换，并非按输出类型分成两组型号；热电堆芯片（阵列式或单点裸晶圆式）则固定输出原始信号供主控解算，无 I/O 判断模式。选型时需确认目标型号支持的模式组合。
- Package（封装形态）：库内产品以 DFN8L2X2-0.55 或裸晶圆为主，多数需二次封装或适配光学窗口/滤光片，选型时需一并评估光学结构与贴装工艺。
选型三步
- 先明确应用属于“存在感应/运动检测”还是“非接触测温”，对应 PIR 数字输出类或热电堆原始信号类。
- 按供电条件核对 VDD/IDD 是否匹配电池容量或系统电源。
- 按封装形态评估贴装工艺与光学窗口设计难度，必要时与结构工程师确认可行性。
常见误区
- 混淆 PIR 存在感应与热电堆非接触测温两类原理不同的器件，选错类型将导致功能缺失。
- 只看 IDD 静态电流，忽略自检等模式下瞬时电流对电池设计的影响。
- 按成品芯片评估裸晶圆产品的贴装成本，忽视封装与键合环节的额外工艺投入。
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