产品详情
SMT15T05AHPC
中晶新源 SineSemi核心代理商
参数规格
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS
- 150 V
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大
- 5.8 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型
- 4.8 mΩ
- 阈值电压 VGS(th) 典型
- 3.4 V
- With ESD
- No
- Die Size (mm²)
- 4140*3600
- Gross Die (8" wafer)
- 1856
- Wafer Thickness (mm)
- 90±10
- 栅源电压 VGS 最大
- ±20 V