产品详情
SMN3004BLAE
中晶新源 SineSemi核心代理商
参数规格
- 工艺
- Trench
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS
- 30 V
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大
- 4 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型
- 3.3 mΩ
- 阈值电压 VGS(th) 典型
- 1.4 V
- With ESD
- No
- Die Size (mm²)
- 1980*1380
- Gross Die (8" wafer)
- 10500
- Wafer Thickness (mm)
- 150±15
- 栅源电压 VGS 最大
- ±20 V
- 导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型
- 4.2 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大
- 5.5 mΩ
- 输入电容 Ciss 典型
- 2348 pF
- 输出电容 Coss 典型
- 288 pF
- 反向传输电容 Crss 典型
- 251 pF
- 总栅极电荷 Qg 典型
- 46 nC
- Qgs_Typ
- 5.1 nC
- Qgd_Typ
- 7.8 nC