产品详情
SMT3005ALVH
中晶新源 SineSemi核心代理商
参数规格
- 封装
- DFN3030-8L-H
- 结构
- N+N
- 漏源电压 VDS
- 30 V
- 漏极电流 ID
- 45 A
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大
- 5.3 mΩ
- 车规 (Y/N)
- N
- 阈值电压 VGS(th) 典型
- 1.7 V
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型
- 4.4 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型
- 6.6 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大
- 8.3 mΩ
- 栅源电压 VGS 最大
- ±20 V
- 结温 Tj
- 150 °C
- 雪崩能量 EAS 最大
- 48 mJ
- 输入电容 Ciss 典型
- 564 pF
- 输出电容 Coss 典型
- 375 pF
- 反向传输电容 Crss 典型
- 24 pF
- 总栅极电荷 Qg 典型
- 8.3 nC
- ESD
- No
- 最小包装量
- 5000 pcs
- 最小订购量
- 50000 pcs
- 应用推荐-马达驱动
- Y
- 应用推荐-高频电源
- Y
- 应用推荐-通用开关
- Y
不确定怎么选？阅读《中低压 MOSFET 选型指南》 →
封装与电路符号