SMT10T01BHTLBQ

参数规格

封装

TOLL

结构

N

漏源电压 VDS

100 V

漏极电流 ID

492 A

导通电阻 RDS(ON)@10V 最大

1.2 mΩ

车规 (Y/N)

Y

阈值电压 VGS(th) 典型

3 V

导通电阻 RDS(ON)@10V 典型

1 mΩ

栅源电压 VGS 最大

±20 V

结温 Tj

175 °C

雪崩能量 EAS 最大

2250 mJ

输入电容 Ciss 典型

10795 pF

输出电容 Coss 典型

2242 pF

反向传输电容 Crss 典型

41 pF

总栅极电荷 Qg 典型

150 nC

ESD

No

最小包装量

2000 pcs

最小订购量

20000 pcs

应用推荐-马达驱动

Y

应用推荐-高频电源

Y

应用推荐-通用开关

Y

封装与电路符号

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