产品详情
SMP10T40ALR
中晶新源 SineSemi核心代理商
参数规格
- 封装
- PDFN3333-8L
- 结构
- P
- 漏源电压 VDS
- -100 V
- 漏极电流 ID
- -23 A
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大
- 40 mΩ
- 车规 (Y/N)
- N
- 阈值电压 VGS(th) 典型
- -1.8 V
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型
- 30 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型
- 36 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大
- 50 mΩ
- 栅源电压 VGS 最大
- ±20 V
- 结温 Tj
- 150 °C
- 雪崩能量 EAS 最大
- 176 mJ
- 输入电容 Ciss 典型
- 1402 pF
- 输出电容 Coss 典型
- 317 pF
- 反向传输电容 Crss 典型
- 14 pF
- 总栅极电荷 Qg 典型
- 21 nC
- ESD
- No
- 最小包装量
- 5000 pcs
- 最小订购量
- 50000 pcs
- 应用推荐-马达驱动
- Y
- 应用推荐-高频电源
- Y
- 应用推荐-通用开关
- Y
