产品详情
OX1S80N04T
澳芯瑞能 OXRIpower核心代理商
参数规格
- 封装
- TO-252
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS
- 40 V
- 漏极电流 ID
- 80 A
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大
- 5.5 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型
- 4.2 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型
- 6.5 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大
- 10 mΩ
- 栅源电压 VGS 最大
- ±20 V
- 工艺
- Trench
- 阈值电压 Vth
- 1.3 V
不确定怎么选？阅读《中低压 MOSFET 选型指南》 →