OX1S5N04T 产品图

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OX1S5N04T

澳芯瑞能 OXRIpower核心代理商

中低压 MOSFETSOT-23

参数规格

封装
SOT-23
结构
N
漏源电压 VDS
40 V
漏极电流 ID
5 A
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大
40 mΩ
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型
30 mΩ
导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型
40 mΩ
导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大
60 mΩ
栅源电压 VGS 最大
±20 V
工艺
Trench
阈值电压 Vth
1.3 V

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SMN3404ALM导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型26 mΩ导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大36 mΩOX1S6N03LT导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型23 mΩ导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大32 mΩOX1S6N03T导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型28 mΩ导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大40 mΩSMN4013ALX导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型11.9 mΩ导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大20 mΩHT025N03A导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型19.3 mΩ导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大23 mΩSMT4005ALX导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型6.4 mΩ导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大8 mΩ