OX1S40N03T 产品图

产品详情

OX1S40N03T

澳芯瑞能 OXRIpower核心代理商

中低压 MOSFETTO-252

参数规格

封装
TO-252
结构
N
漏源电压 VDS
30 V
漏极电流 ID
40 A
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大
10 mΩ
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型
8 mΩ
导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型
12 mΩ
导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大
18 mΩ
栅源电压 VGS 最大
±20 V
工艺
Trench
阈值电压 Vth
1.3 V