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中低压 MOSFET
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OX1S30N100HT
产品详情
OX1S30N100HT
澳芯瑞能 OXRIpower
核心代理商
中低压 MOSFET
TO-252
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参数规格
封装
TO-252
结构
N
漏源电压 VDS
100 V
漏极电流 ID
30 A
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大
30 mΩ
栅源电压 VGS 最大
±20 V
工艺
Trench
阈值电压 Vth
3 V
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