OX1S30N100HT 产品图

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OX1S30N100HT

澳芯瑞能 OXRIpower核心代理商

中低压 MOSFETTO-252

参数规格

封装
TO-252
结构
N
漏源电压 VDS
100 V
漏极电流 ID
30 A
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大
30 mΩ
栅源电压 VGS 最大
±20 V
工艺
Trench
阈值电压 Vth
3 V

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SMT10T20BLRQ漏极电流 ID30 A导通电阻 RDS(ON)@10V 典型16.4 mΩSMT10T28ALP漏极电流 ID30 A导通电阻 RDS(ON)@10V 典型23 mΩSMT10T20BLR漏极电流 ID29 A导通电阻 RDS(ON)@10V 典型16.4 mΩSMT10T20ALU漏极电流 ID32 A导通电阻 RDS(ON)@10V 典型15.3 mΩSMT10T15BLR漏极电流 ID34 A导通电阻 RDS(ON)@10V 典型13.5 mΩSMT10T15BLRQ漏极电流 ID35 A导通电阻 RDS(ON)@10V 典型13.5 mΩ