GCP50GT120PIB1N

参数规格

集射极电压 VCES

1200 V

集电极电流 IC

50 A

饱和压降 VCE(sat) 典型

1.7 V

开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型

12.7 mJ

结构

3 Phase Rectifier+Brake+3 Phase Output

热阻 Rth(j-c)

0.512 K/W

封装

B1.1

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