GCP25GT120FEC1

参数规格

集射极电压 VCES

1200 V

集电极电流 IC

25 A

饱和压降 VCE(sat) 典型

1.7 V

开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型

4.78 mJ

结构

3 Phase Open Emitter Output

热阻 Rth(j-c)

0.71 K/W

封装

C1.1

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